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「半導體目前作為優先發展產業,階段性目標是自給率從20%提高到40%,然後在2025年提高到70%。」
然而,目前國產關鍵存儲器晶片DRAM、NAND的市場份額基本為零。在美國「技術制裁」不斷升級的當下,填補技術空白,構建產業鏈條,降低海外依賴的行動刻不容緩。
撰文 | 吳昕
機器之心6月29日消息,據日經新聞援引消息人士稱,清華紫光集團在重慶的DRAM晶片建廠計劃將於年底前動工。消息稱,由於美國實施制裁升級,中國半導體產業鏈正在努力實現減少對海外供應商的依賴。
目前,市場上主要有兩種存儲器產品,一種是DRAM(動態隨機存儲器),用於緩存,還一種是NAND Flash(閃存),用於數據的存儲。
中國大陸在這兩個領域基本上都依靠進口。賽迪智庫數據顯示,2018年,中國大陸進口集成電路3120.6億美元,其中存儲器占集成電路進口金額的39%,達到1230.6億美元。
而在DRAM領域,全球由韓國三星、海力士、美國美光三家企業把控,占據了全球超過90%的市場份額。今年5月,多款搭載長鑫存儲DRAM晶片的記憶體條上市,剛剛實現我國自主研發DRAM晶片市場零的突破。
一
被疫情耽誤的建廠計劃
事實上,紫光集團在重慶的建廠計劃早在2019年8月已經啟動。
當時清華紫光集團和重慶市政府簽署了紫光存儲晶片產業基地項目合作協議,紫光將在重慶的兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司(下稱紫光國芯)和重慶紫光集成電路產業基金,在重慶建設紫光DRAM事業群總部、DRAM總部研發中心、DRAM存儲晶片制造工廠、紫光科技園等。
重慶工廠主要用於制造12英寸的DRAM存儲晶片,最初設定目標是2019年底開工建設,並在2021年開始大規模生產。 但是因為各類原因導致建廠計劃一再拖延,包括受到新型冠狀病毒爆發的影響。
現在,項目推進重新被列上議程。據悉,目前該工廠計劃延期至2022年投產,將大規模生產用於智能手機和其他設備的DRAM晶片。
紫光表示,在晶片工廠建成前,將先在現有晶片工廠內設立產品中試生產線,進行產品生產工藝技術研發,待工藝成熟後,再在紫光重慶晶片工廠量產。
盡管紫光沒有透露該工廠的年產能或投資規模,但消息人士稱,該公司未來十年在DRAM重慶工廠項目的總投資將達到8000億元人民幣(合1100億美元)。
據《重慶商報》,項目簽署時,紫光集團聯席總裁於英濤在內部會議上表示,該存儲晶片工廠的投資規模將達數百億元。目前來看,該項目的投資與規模可能擴大。
臺灣媒體評論,紫光集團的吸才力道,不亞於四年前該集團投入快閃記憶體和合肥長鑫投入DRAM,已引起全球半導體產業震撼,也讓臺廠高度警戒。
與此同時,紫光集團在日本的子公司近期也開始投入運營,主要用於設計DRAM晶片及技術研發。該團隊由官坂本幸雄牽頭,將從其他日本半導體公司尋找人才。
坂本幸雄來頭不小,他是日本最主要的DRAM半導體晶片制造廠商 爾必達(ELPIDA)前董事長和CEO,憑一己之力挑戰韓國晶片公司的地位,鼎盛時期占據全球50%的份額,不過最後還是在韓國的打壓中敗下陣來。
坂本幸雄被聘為紫光日本分公司的運營人,有足夠豐富的公司運營經驗、技術積累和人脈資源,此次在紫光最主要的工作可能就是拓展全球市場和募集人才,計劃在日本招募100名技術人員,「日本還有許多能開發存儲器的人才,我們準備了相當於日企五六倍的報酬。」
日經分析稱,如果清華紫光要生產具有國際競爭力的DRAM晶片,它將需要美國制造設備。然而,美中對抗的加劇可能阻礙其獲得相應設備。
二
紫光的記憶體布局
紫光早就醞釀進入DRAM領域。2015年便開始籌劃DRAM生產,同年62歲的高啟全加入了紫光,任紫光集團全球執行副總裁。
高啟全從90年代便開始在DRAM領域從業,那時臺灣DRAM先驅南亞科技剛剛產生,後來於美光共同成立合資公司華亞科,從兩大韓國企業手中搶奪了不少市場份額。
紫光DRAM事業群CEO高啟全,被成為臺灣「存儲教父」
可惜臺灣最終沒抵擋得住韓國的擠壓,業務持續虧損最後賣身給美光。加入紫光時,高啟全可以說是帶著一股不甘心的精神氣和重啟DRAM事業決心的。
紫光首先試圖以並購的方式快速積累DRAM壁壘。
曾意向收購存儲晶片相幹企業西部數據、臺灣力成、臺灣矽品和臺灣南茂科技,同時像臺積電和美光拋去來橄欖枝,均以失敗告終。
2015年,紫光從西安華芯(後更名為西安紫光國芯)撕開來DRAM的口子,一舉將其收入囊中,奠定了紫光DRAM的技術基底。
西安華芯前身是從德國英飛凌分拆出的奇夢達,奇夢達DRAM產品銷量曾穩居全球第二,是300mm晶圓領導者和PC及服務器DRAM產品市場最大的供應商之一。
西安華芯擁有英飛凌存儲器事業部的班底,其團隊領導者任奇偉被業內稱為「大陸DRAM設計第一人」。
此前,華芯曾被浪潮集團收購成立,成為國產存儲器唯一的一顆火種,合肥長鑫技術也正是來源於與此,接過堆疊式架構的相幹技術專利,讓制成邁入10nm。
2018年10月11日,紫光國微擬作價2.2億元向紫光存儲出讓西安紫光國芯100%股權。紫光國微稱,西安紫光國芯持續加大DRAM存儲晶片產品的開發投入,但短期內無法達到規模經濟,資產負債率不斷提高,已影響到紫光國微的正常持續經營,故而將其轉讓。
2019年6月30日,紫光的DRAM戰略正式起航。
紫光集團正式成立DRAM事業群,集團聯席總裁刁石京任董事長、全球執行副總裁高啟全任CEO。
在對外介紹中,紫光方面表示,西安紫光國芯擁有從產品立項、指標定義、電路設計、國界設計到矽片、顆粒、記憶體條測試及售前售後技術支持等技術積累,已經有數十款產品實現全球量產和銷售。
紫光還表示,未來,紫光內部的ICT企業新華三、紫光存儲、手機晶片企業紫光展銳等公司將相互配合,以實現存儲晶片與系統應用的匹配、查驗、調優,讓產品成功落地。
即便如此,外界仍認為,要想在DRAM領域突破韓國企業的壟斷和專利封鎖仍非常困難,中國企業尤其需要注意。
芯謀研究首席分析師顧文軍在接受財新記者採訪時曾表示,因為DRAM更加成熟、高度集中和更加「標準」的產業特性,做DRAM的難度要遠超 NAND Flash,任何新進入者都面臨著技術來源、團隊、專業化運營和成本的幾大難題,福建晉華被禁,是一個警示。
福建晉華此前主攻DRAM市場,但成立不到兩年,就被美國存儲巨頭美光告上加州法庭,稱其涉嫌竊取商業機密。2018年10月29日,美國商務部宣布,將福建晉華列入出口管制的實體清單,直接導致其生產停擺。
三
存儲器市場已構築「三駕馬車」,
但核心市場仍待開荒
目前,國內有三大存儲晶片企業,紫光集團旗下的長江存儲主攻3D NAND存儲器,福建晉華和合肥長鑫主攻DRAM,希望填補國內技術空白。
今年,長江存儲在 3D NAND 、長鑫存儲在DRAM領域的突破有為本土存儲器廠商尋得一些機遇。
4 月 ,長江存儲正式發布兩款 128 層 3D NAND 閃存。長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊對此表示,長江存儲在 3D NAND 閃存領域已經基本追平國際先進水平,在某些領域甚至有所領先。
5月,多款搭載長鑫存儲DRAM晶片的記憶體條上市,下遊合作廠商包括江波龍、光威等。
模組廠商江波龍於5月15日宣布,長鑫存儲的顆粒已通過其EVT完整的顆粒級測試,並已推出三款搭載長鑫存儲顆粒的記憶體產品。
自2016年項目啟動以來,長鑫存儲的造芯計劃就備受關註。這是一家由合肥市政府出資、晶片設計廠商兆易創新參與投資的企業。2019年9月,中國首款DRAM晶片長鑫DDR4投產。
目前,國內三大存儲晶片廠商雖然都在追趕國際先進水平,然而不可否認的是,存儲晶片廠商仍然處於寡頭壟斷的競爭格局,尤其在DRAM核心技術市場仍亟待更多從業者開荒。
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