三星推 8nm 射頻晶片制程,搶攻 5G 領域

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IT之家 6 月 15 日消息 三星電子上周高調宣布開發出 8nm 射頻(RF)晶片制程技術,希望搶攻 5G 領域晶圓代工訂單。

據悉,三星開發了一種獨特的 8nm 射頻專用架構,名為 RFextremeFET (RFeFET™),可以顯著改善射頻特性,同時使用更少的功率。

與 14nm RF 相比,三星的 RFeFET 補充了數字 PPA 縮放並同時恢復了模擬 / RF 縮放,從而實現了高性能 5G 平臺。此外,新的 8nm RF 晶片可提高 35% 的效率且減少 35% 的面積。

據 Newsis 等消息,三星計劃以 8nm RF 晶圓代工工藝技術服務,以此搶攻 5G 領域。

據介紹,三星這種尖端的代工技術有望提供「單晶片解決方案」,專門用於支持多通道和多天線晶片設計的 5G 通訊。三星的 8nm 射頻平臺擴展有望將公司在 5G 半導體市場的領先地位從低於 6GHz 擴展到毫米波應用。

三星推 8nm 射頻晶片制程,搶攻 5G 領域 科技 第1張

IT之家科普:射頻 (Radio Frenquency) 和來自英文直譯。其中射頻最早的應用就是 Radio—— 無線廣播 (FM/AM),迄今為止這仍是射頻技術乃至無線電領域最經典的應用。

射頻簡稱 RF 射頻就是射頻電流,是一種高頻交流變化電磁波,為是 Radio Frequency 的縮寫,表示可以輻射到空間的電磁頻率,頻率範圍在 300KHz~300GHz 之間。

每秒變化小於 1000 次的交流電稱為低頻電流,大於 10000 次的稱為高頻電流,而射頻就是這樣一種高頻電流。高頻 (大於 10K); 射頻 (300K-300G) 是高頻的較高頻段;微波頻段 (300M-300G) 又是射頻的較高頻段。

射頻晶片指的就是將無線電信號通訊轉換成一定的無線電信號波形,並通過天線諧振發送出去的一個電子元器件,也就是是能夠將射頻信號和數字信號進行轉化的晶片。它包括 RF 收發機、功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、濾波器、射頻開關、天線調諧開關等。

眾所周知,手機等移動終端中最重要的核心部件便是射頻晶片和基帶晶片等。射頻晶片負責射頻收發、頻率合成、功率放大;基帶晶片負責信號處理和協議處理。

射頻:一般是資訊發送和接收的部分;

基帶:一般是資訊處理的部分;

電源管理:一般是節電的部分,對手機來說相當重要;

外設:一般包括 LCD,鍵盤,外殼等;

軟體:一般包括系統、驅動、中間件、應用。

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