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晶片制造企業中,臺積電的技術最為先進,這是因為臺積電量產的晶片良品率高、產能大,關鍵是制程也最先進,5nm、4nm等晶片也已量產了。
即便是在3nm晶片上,臺積電也明確表示目前進展順利,將會在2022年下年量產,並確定獲得了英特爾和蘋果兩家3nm晶片訂單,領先對手。
或許臺積電在晶片制造技術領先太多,臺積電從2021年開始,就頻繁就晶片表態不可能。
例如,臺積電曾明確表示,美不可能打造完整的晶片產業鏈;臺積電表示英特爾進入晶圓代工領域內讓其趕到諷刺;與中芯之間的差距至少在5年以上。
進入2022年後,臺積電依舊表態不可能,在鎧俠、佳能等聯合表態可用NIL工藝制造5nm晶片,不用依賴EUV光刻機。
隨後臺積電就表示用DUV光刻機也能夠量產了5nm晶片,只是因為成本高等問題,臺積電沒有這麼做。
華為旗下的哈勃進入私募行業後,欲用更多資金支持國內晶片產業鏈發展,而臺積電方面卻表示國內廠商不可能制造出來高端晶片。
也就是說,臺積電就晶片表態不可能,那麼,臺積電究竟在擔心什麼?其實,臺積電的擔憂有三點。
首先,臺積電擔心被超越。
臺積電多次就晶片表態不肯鞥,實際上是擔心被超越的表現,因為三星與臺積電在技術方面實際上沒有多少差距,只要EUV光刻機足夠多,三星超越臺積電是較易實現的。
而英特爾由於選擇了錯誤的路徑,導致在晶片制程上落後,但就晶片制造技術而言,英特爾的底子一點也不差,雖然英特爾晶片制程不夠領先,但內置晶體管數量卻遙遙領先。
更何況,IBM已經研發出來了2nm晶片的制造技術,並將其交給英特爾,可以說只要光刻機等設備到位,英爾在2nm晶片不見得會落後。
而國內廠商已經量產了N+1工藝的晶片,其類似臺積電7nm工藝,只不過主導低功耗,而中芯7nm晶片已經完成了研發任務。
即便是在5nm晶片,也已經展開了研發,只不過因為EUV光刻機的緣故,其不能全面展開。
也就是說,臺積電的技術是先進,但並非完全靠自己,也靠ASML的先進光刻機。
其次,臺積電的危機已經在眼前。
臺積電在晶片制造技術方面領先,一部分原因就是因為EUV光刻機,但ASML已經明確表示,首臺升級版的EUV光刻機已經出貨交付,給了英特爾。
要知道,ASML之前優先將EUV光刻機出貨給臺積電,如今優先給了英特爾,失去了EUV光刻機獲得權的優勢,臺積電自然也有點擔心。
更何況,三星已經推出了全新的GAA工藝,用三星自身的話說,該工藝下的3nm晶片比臺積電領先很多。
隨後臺積電方面表示,其也推出了研發了15年的Nanosheet / Nanowire 的晶體管架構,並表示該架構類似三星GAA工藝,但閉口不談性能,上市時間也晚於三星GAA工藝。
這意味著臺積電在先進制程晶片的工藝上存在被超的風險,更何況,IBM都推出了首個2nm晶片的制造技術。
最後,臺積電面臨利潤率增長問題。
失去華為訂單後,臺積電就面臨了利潤率降低的問題,這主要是因為缺少多元化的先進制程晶片訂單,導致其先進工藝晶片的成本降低不及預期。
在這樣的情況下,臺積電接收了英特爾3nm晶片訂單,並與蘋果平分產能,甚至還暗示希望華為海思晶片訂單回歸。