東微半導成功發行，致力於成為領先的功率半導體廠商

蘇州東微半導體股份有限公司（以下簡稱：東微半導）是一家以高性能功率器件研發與銷售為主的技術驅動型半導體企業，產品專註於工業及汽車相幹等中大功率應用領域。公司憑借優秀的半導體器件與工藝創新能力，集中優勢資源聚焦新型功率器件的開發，是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高性能功率器件設計公司之一。日前，公司已成功在上海科創板發行。

公司的產品有高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET及IGBT。公司的產品廣泛應用於以新能源汽車直流充電樁、車載充電機、5G基站電源及通訊電源、光伏逆變器、數據中心服務器電源和工業照明電源為代表的工業級應用領域，以及以PC電源、適配器、TV電源板、手機快速充電器為代表的消費電子應用領域。

來源：攝圖網

重視前沿技術研發，產品技術指標領先

東微半導一直以來高度重視技術團隊的建設，已建立起了完善的研發團隊及研發體系。截至2021年6月30日，公司研發人員占員工總數比例為46%。公司的核心技術人員均在功率半導體領域耕耘超過十年，具有豐富的研發經驗，並對行業未來的技術發展趨勢具有前瞻性的創新能力。公司核心技術人員的研發能力保證了公司的技術敏銳度和研發水平，確保了公司的產品迭代能夠緊跟行業發展趨勢，滿足客戶終端產品的創新需求。

憑借優秀的研發實力，公司多類產品的性能指標達到領先的水平，並形成了多項核心技術。在此基礎上，實現了高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET產品和新型Tri-gate IGBT產品的量產與銷售。公司的高壓超級結MOSFET產品運用了包括電容緩變技術、超低柵極電荷等行業領先的核心技術，使關鍵技術指標達到了與領先廠商可比的水平。在中低壓領域，公司的產品技術水平亦達到了國內領先水平。公司的超級矽系列MOSFET產品已經研發成功並實現量產出貨，實現了比傳統超級結更高的效率，獲得了眾多客戶的認可。

公司的IGBT技術採用了新型Tri-gate 結構IGBT器件設計。根據其招股說明書描述，Tri-gate 結構IGBT器件設計及其工藝技術使用具有獨立智慧財產權的創新性結構以實現IGBT性能的提升，具體包括載流子控制技術、原胞功率調制技術以及獨創的器件結構等。基於上述核心技術，公司IGBT產品的導通壓降與開關速度同時得到優化，在關鍵技術參數上有著大幅的提高，在應用過程中擁有發熱低、效率高的優勢，可使整體應用系統的功耗更低，並擁有高功率密度、低開關損耗、高可靠性以及自保護等優勢。目前，產品已在光伏逆變、儲能、充電樁模塊、電機驅動等領域批量出貨。

報告期內，公司累計研發投入6055.89萬元，占營業收入的比例為6.19%。截至2021年6月30日，公司已獲授權的專利53項，包括境內專利38項，其中發明專利37項、實用新型專利1項，以及境外專利15項。

產品市場份額靠前

功率器件的產品規格豐富，不同規格的產品被應用於不同的應用場景。東微半導已自主研發了逾900種高壓MOSFET產品型號並覆蓋500V-950V區間的工作電壓；以及逾500種中低壓MOSFET產品型號，覆蓋25V-150V區間的工作電壓。此外，公司還自主研發了38款Tri-gate IGBT產品。

得益於公司豐富的產品系列以及強大的產品開發能力，公司的功率器件產品已被廣泛應用於各類工業級及消費級領域，包括新能源汽車直流充電樁、新能源車載充電機、5G基站電源及通訊電源、數據中心服務器電源和工業照明電源、PC電源、適配器、TV電源板、手機快速充電器等。

公司已經與國內外各行業的龍頭客戶建立了長期的合作關係。在各類功率器件應用領域尤其是工業級應用領域中，公司的產品獲得了眾多知名企業的認可，成為了該等客戶的少數國內供應商之一。同時，公司在全球範圍內積累了眾多的知名終端品牌客戶，在工業及汽車相幹應用領域中，公司積累了新能源汽車直流充電樁領域的終端用戶如英飛源、英可瑞、特銳德、永聯科技等；5G基站電源及通訊電源領域的終端用戶如華為、維諦技術、麥格米特等；工業電源領域的終端用戶如高斯寶、金升陽、雷能、奇異公司等；在消費電子領域中，公司積累了大功率顯示電源領域的終端用戶如視源股份、美的、創維、康佳等。在2021年，公司產品開始批量進入比亞迪等新能源車龍頭企業。

持續聚焦創新型高性能功率半導體產品

根據Omdia分析，2020年度全球高壓超級結MOSFET產品的市場規模為9.4億美元，並將於2024年達到10.0億美元。採用超級結結構的高壓MOSFET相對於普通高壓MOSFET具有更高的成長性，預計在高壓MOSFET市場的占比將持續提升。

2020年度，全球中低壓MOSFET產品的市場規模為52.4億美元，2024年的市場規模預計為49.2億美元。

在全球汽車電子缺芯的情況下，東微半導適時募投擴產，有望趕上行業好時機。

公司本次IPO募投項目包括：超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業化項目、新結構功率器件研發及產業化項目、研發工程中心建設項目、科技與發展儲備資金。

其中，超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業化項目基於公司深槽超級結技術以及屏蔽柵技術的豐富積累，對高壓超級結MOSFET產品及中低壓屏蔽柵MOSFET產品的設計及工藝技術等方面進行改進和提升。該項目為公司原有業務的延展和深化旨在繼續加強技術積淀，保持在高壓超級結 MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET領域的優勢，挖掘高性能和高可靠性產品的潛力，打造全系列功率半導體產品的技術創新平臺。

新結構功率器件研發及產業化項目依托公司在功率器件領域多年的研發及技術積累，擬在未來三年陸續推出下一代高速IGBT和超級矽MOSFET以及新一代高速大電流功率器件產品。前述產品可廣泛應用於5G基站、新能源汽車直流充電樁、光伏逆變器等細分領域。項目實施後，將助力公司拓展更豐富的產品線，擴大在高性能功率器件領域的市場份額。

研發工程中心建設項目則在SiC器件、新型矽基高壓功率器件方向進行布局，有助於提升公司創新水平和技術成果轉化效率，營造良好的實驗環境，吸引高端技術人才的加入，加快科研成果轉化，為公司的可持續發展提供更有力的技術支撐。

東微半導始終專註於工業及汽車相幹等中大功率應用領域。公司創新能力已在工業級高壓超級結MOSFET產品、中低壓MOSFET器件產品和IGBT產品領域得到了充分的證明。未來，公司將持續聚焦於更多創新型高性能功率半導體產品開發和量產，致力於成為領先的功率半導體廠商，並進一步深化與上下遊優秀合作夥伴的合作加速更多高性能功率晶片產品的國產化，為我國新能源產業提供更多可媲美進口晶片的產品。