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圖源:ASML
集微網消息,熟悉三星內部計劃的人士透露,三星電子將於2023年底開始量產光罩護膜(Pellicle),此舉將加速其採用EUV工藝的DRAM生產進程。
據THE ELEC報導,知情人士指出,三星極有可能使用ASML合作夥伴三井化學制造的光罩護膜。ASML在2019年宣布同意將EUV光罩護膜組裝技術授權予日商三井化學,在未來持續與合作夥伴共同開發下一代光罩護膜。
據了解,使用光罩護膜最主要有兩種目的,其一為增加晶片生產良率,其次是減少光罩在使用時的清潔和查驗,有效提高產量。
但目前,提升光罩護膜的透光率仍是產業面臨的課題之一。EUV工藝的光罩護膜透光率需要超過90%,並且必須至少達到50 nm,業界公司尚未能提供這一規格的產品。
另外,由於EUV光罩成本高達數十萬美元,盡管使用護膜可以免受損壞,但三星和臺積電到目前為止還未在EUV生產工藝中使用光罩護膜。
全球範圍內,開發EUV光罩護膜的公司主要包括ASML、三井化學、imec、FST和S&S Tech。
報導指出,三星可能會使用ASML推薦的護膜,因為如果該公司採用了其他護膜,ASML可能不會提供維修等售後服務。去年,ASML展示了一種名為MK3.0的護膜,其透光率為82%至83%。三星很可能會使用新一代產品MK4.0。
如果三星採用光罩護膜,則有望加速將EUV工藝大規模應用於DRAM生產,並在與SK海力士和美光的競爭中繼續保持領先地位。(校對/思坦)