英特爾要改叛變奏，提前進入埃米時代？

英特爾公司CEO帕特·基辛格在以「英特爾加速創新」為主題的全球線上發布會中表示：「基於英特爾在先進封裝領域毋庸置疑的領先性，我們正在加快制程工藝創新的路線圖，以確保到 2025 年制程性能再度領先業界。英特爾正利用我們無可比擬的持續創新的動力，實現從晶體管到系統層面的全面技術進步。在窮盡元素周期表之前，我們將鍥而不舍地追尋摩爾定律的腳步，並持續利用矽的神奇力量不斷推進創新。」

英特爾公司2021 年 7 月 27日在美國加州聖克拉拉召開了「英特爾加速創新：制程工藝和封裝技術線上發布會」。對於藍色巨人而言，這場發布會的意義非凡，會議涉及的資訊量巨大。它公布了最新的制程工藝和封裝技術創新路線圖，涉及了2025年以後的埃米時代產品路線；並展示了兩項突破性制程技術——近十多年來推出的首個全新晶體管架構RibbonFET，以及業界首個背面電能傳輸網路PowerVia；另外公布了兩項3D 封裝上的技術Foveros Omni 和 Foveros Direct；甚至英特爾在代工服務（IFS）上也取得了階段性的結果，首次公布合作客戶名單中擁有高通、亞馬遜AWS等一大批重量級的名字。

新線路+新工藝，英特爾在埃米時代大門前將加速？

在英特爾公布的最新制程技術路線圖上，我們可以看到每個節點的創新技術以及新節點命名的詳細資訊，特別是在10nm之後，英特爾忽略了進程的命名，而採用了英特爾創造的命名方式：

盡管英特爾在同制程下的表現都優於對手，比如10nm晶體管指標已經超過了臺積電7nm的水平，但對於市場而言，似乎受制程的影響更大。所以這次英特爾跳開了以制程命名的方式，比如Tiger Lkae（10nm Superfin）的下一代10nm Enhanced SuperFin這次就改變為Intel 7，之後英特爾7nm則改變Intel 4，細究英特爾命名上的深意，不難得出，Intel 7 ≥ 7nm，英特爾4 ≥ 4nm的推測，盡管不會明面上這麼宣布，而會體現在每一代產品的參數之上。

另外我們還留意到，英特爾介紹產品性能的首要指標變為了「每瓦性能」，其實英特爾前幾代產品也在強調這個參數，這次只是再次指標之下英特爾在能耗比上的優勢。在產品線路圖上，Intel 7與 Intel 10nm SuperFin 相比，每瓦性能將提升約10%-15%；Intel 4則將擁有前代每瓦性能約 20% 的提升以及晶片面積的改進；Intel 3則較之Intel 4將在每瓦性能上實現約18%的提升……

還有一點，英特爾將在Intel 7上開始引入EUV，並在Intel 4之上完全採用EUV光刻技術，這也是帶來Intel 4晶片面積縮小的主要原因。在新產品線路圖上，英特爾一改對EUV技術成熟度不信任的態度，全力轉向EUV，也跟之前在10nm、7nm上良品率遲遲得不到解決有很大關係。由此我們也能看出，英特爾新CEO上任後，藍色巨人更加務實，在這兩年晶片重要轉折的年份上希望占據住更多實地的意圖。

Intel 7、Intel 4和Intel 3將分別在2021年、2022 年下半年、2023年下半年投產，我們可以看到英特爾一年一個堅定步伐的節奏，這同樣也是堅持摩爾定律的一次表態。而這個路線圖的最大的亮點則在於Intel 3之後的Intel 20A，這是英特爾在產品方向上的一次重大變革。

Intel 20A在工藝上徹底放棄了FinFET，轉向了GAA晶體管，為了讓新晶片在埃米時代落地，英特爾公布了兩項兩大革命性技術——RibbonFET和PowerVia。RibbonFET是自2011年率先推出FinFET以來，英特爾構建Gate All Around晶體管的重要技術，它加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，而且占用空間更小。PowerVia 是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過清除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。

在2024年推出Intel 20A之後，下一代的技術節點將命名為Intel 18A，第二代GGA晶體管將進一步改進RibbonFET技術，預計2025年之後推出。

借助IDM 2.0，英特爾是否能重回全球前三的代工廠商

英特爾高級副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士表示：「英特爾有著悠久的制程工藝基礎性創新的歷史，這些創新均驅動了行業的飛躍。我們引領了從90奈米應變矽向45奈米高K金屬柵極的過渡，並在22奈米時率先引入FinFET。憑借RibbonFET 和 PowerVia兩大開創性技術，Intel 20A 將成為制程技術的另一個分水嶺。」

在英特爾發布產品路線圖之中，公布了一個資訊量相當高的內容——高通將採用Intel 20A的產品路線！不難看出，如今市場上排名首位的Fabless廠商還是相當認同英特爾技術路線上的選擇和技術底蘊。

一方面，三星順利流片後，高通對於GAA晶體管路線有著更強的信心，另一方面，在英特爾公面代工IDM2.0計劃後，英特爾的技術能力和代工能力均能給高通提供較為穩定的基礎。

我們可以看到，英特爾在封裝技術一直處於領先地位，這也是選擇英特爾代工廠商的最大底氣，近年來英特爾在這方面的優勢包含：首個2.5D 嵌入式橋接解決方案EMIB、首個 3D 堆疊解決方案Foveros、下一代Foveros技術Foveros Omni和實現了向直接銅對銅鍵合的轉變Foveros Direct。

如果要一一了解英特爾這一技術優勢，我們需要另開一篇卻詳細解讀，不過需要注意的是Foveros Omni和Foveros Direct將在應用在2023年量產的產品中去，從產品路線圖來看，也就是Intel 3。這意味著Intel 3才是英特爾在奈米時代的巔峰產品，也是英特爾恢復競爭優勢的最重要技術節點。

高通之外，英特爾還公布了另一個代工合作廠商亞馬遜AWS，它將比高通更早，率先成為英特爾的第一個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶。

能否按產品線路的計劃獲得High-NA EUV光刻機？

封裝技術之外，英特爾公布的另一項資訊則給予了Fabless廠商更多信心——英特爾將迅速採用下一代極紫外光刻（EUV）技術的計劃，即高數值孔徑（High-NA）EUV。甚至在與ASML的合作中，英特爾有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。

從質疑EUV到可能率先採用High-NA EUV光刻機，英特爾態度的改變源自於加速埃米時代落地的目標，這將是英特爾重回巔峰地位的大計劃。

我們都知道，3nm工藝結點之後，ASML研發的是新型高數值孔徑EUV光刻設備（high NA EUV），它將EUV系統NXE 3400C具有0.33的數值孔徑推進至0.55，這也是ASML下一代的NXE5000系列機型。雖然ASM宣布的問世時間為2023年，但實現上業界對它的上市的時間並不樂觀，而且在光阻劑、EUV源功率、0.55NA較小的聚焦深度（depth of focus）、透鏡的偏振控制、掩膜的制備及設備的成本控制上都有著不小的技術門檻需要邁過。所以是否能趕上2024年的Intel 20A技術節點其實還存在很大不確定性。

當然，值得肯定的是，英特爾在與ASML的合作中取得了相當大的主動性，不然也不會宣傳首臺High-NA EUV光刻機落戶英特爾的巨大利好。

寫在最後

今天的發布會，讓我們看到一個不那麼慢條斯理的藍色巨人。不管是產品路線還是新技術曝光，英特爾都迫不急待地向眾人公布，而且在High-NA EUV光刻機使用上，卡死了ASML的供貨門檻。

實際上從下一代光刻機的計劃供貨時間2023年，到英特爾量產Intel 20A的2024年間，僅有一年時間來調試設備和流片，不可謂不緊張，所以我們在今天的文章和段落標題中，都用了問號。當然，不管能不能實現，都代表了英特爾的一代態度——必須樹立重回巔峰的目標。

在我看來，英特爾最有可能實現的是代工上的意圖，在全球缺芯的大趨勢下，是最能為英特爾貢獻現金流的項目，也只有代工上獲得了更多Fabless用戶的認同，才能在產品路線圖實現節奏上走得更快更穩。