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中關村在線消息：在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布採用5/4/3nm工藝技術。根據Tom’s Hardware今天的新聞，三星計劃最早在2021年開始大規模生產3nm工藝晶片。
三星半導體：3nm最早2021年投入量產
此外，三星還表示，將在今年下半年開始生產7nm的超視距晶片。去年，三星還表示，它將在2020年使用4奈米砷化鎵場效應晶體管（gate all around fet）工藝。然而，一些業內人士，包括加納副總裁王國榮（Samuel Wang）對Gaafet晶片能否在2022年投產表示懷疑。
盡管台積電和格羅方德Global Foundries在EUV晶片開發方面並沒有落後，但三星也有自己的優勢。三星公司內部開發了自己的EUV掩膜檢測工具，但尚未開發出類似的商業工具。