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台湾台北2019年8月14日 /美通社/ — 科林研發公司(Lam Research Corp.)宣佈，推出可協助客戶提高記憶體晶片密度的全新解決方案，以滿足人工智慧和機器學習等應用的需求。透過導入晶背沉積用的VECTOR®DT以及晶背和晶邊薄膜去除用的EOS®GS濕式蝕刻系統，科林研發進一步擴展了其應力管理產品組合。
雖然高深寬比沉積和蝕刻是3D NAND微縮的關鍵促成因素，但隨著層數的持續增加，要控制由於薄膜堆疊累積應力所造成的晶圓曲度已成為一重大挑戰。由於變差的蝕刻景深、重疊效能和結構扭曲，這類由應力引起的晶圓變形已對晶圓良率帶來顯著影響。為了提高整體良率，需要在整個製造過程中的各個步驟中仔細管理晶圓、晶粒和特徵級應力，將有可能免除由於這些應力特性而需導入其他的效能增強製程步驟。
VECTOR DT系統是專為控制3D NAND製造的晶圓曲度所開發的成本效益解決方案，它是科林研發電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）產品系列的最新成員。VECTOR DT透過在晶圓背面沉積一層可調節的反應力(counter-stress)薄膜，無需接觸晶圓正面便能為晶圓形狀管理提供了單一步驟的解決方案，因此可實現更佳的蝕刻結果、減少彎曲引起的失效，並整合高效能但高應力的薄膜。自首次推出以來，隨著客戶的廣泛採用，VECTOR DT安裝數量已繼續成長，以支援客戶朝超過96層的3D NAND結構邁進。
除了沉積反應力薄膜之外，科林研發還提供了可以去除晶背薄膜的靈活性，使客戶能在3D NAND製造流程中調整晶圓應力。透過以業界領先的濕式蝕刻均勻度來去除晶背和晶邊薄膜，科林研發的EOS GS濕蝕刻產品可與VECTOR DT互補，並同時完全保護晶圓的正面。作為全面的晶圓曲度管理解決方案的一部分，科林研發的EOS GS也已被全球各地的記憶體製造商採用。
科林研發沉積事業處資深副總裁暨總經理Sesha Varadarajan表示：「隨著我們的客戶持續大幅增加記憶體單元層的數量，累積應力和晶圓曲度將超過蝕刻機台的極限。把應力引起的變形降至最低，對於實現期望的良率和每位元成本的目標至關重要。藉由VECTOR DT和EOS GS系統的推出，我們正擴展全晶圓應力管理解決方案組合，致力於協助客戶達成其垂直微縮的技術藍圖。」
關於科林研發
科林研發股份有限公司是為半導體產業提供創新晶圓製造設備和服務的全球供應商。身為全球領先半導體業者值得信賴的合作夥伴，我們結合優異的系統工程能力、技術領先地位、以及助力客戶成功的堅定承諾，透過提升元件效能來加速創新。事實上，今天，幾乎每一顆先進晶片都是利用科林研發的技術來生產的。科林研發是財星500大企業，總部設在加州弗里蒙特市，營運遍佈全球。更多訊息，請造訪www.lamresearch.com. (LRCX-P)
前瞻性聲明注意事項
本新聞稿中的一些非既往事實陳述為前瞻性聲明，這些聲明受到「1995年美國私人證券訴訟改革法案」的安全港條款約束。這些前瞻性聲明論及，但不僅限於，我們銷售機台的效能；我們的客戶對於3D NAND微縮以及其他應用的需求；3D NAND微縮的促成因素；晶圓、晶粒以及特徵的應力管理需求；我們機台產品的成本效益；以及我們向美國證券交易委員會提交或提供的文件中描述的其他風險和不確定性，特別是包括我們在截至2018年6月24日會計年度的財報10-K表格以及截至2018年9月23日、2018年12月23日和2019年3月31日的季度10-K表格中所描述的風險因素。這些不確定性與變化可能會對前瞻性聲明造成重大影響，導致實際結果與預期有明顯不同。科林研發沒有義務在日後對此新聞稿中發佈的訊息做出更新說明。
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