全球最先進3nm晶圓廠塵埃落定4000億投資
隨著三星加快7nm EUV工藝量產，台積電領先了一年的7nm先進工藝今年會迎來激烈競爭，IBM、NVIDIA以及高通都要加入三星的7nm EUV陣營了。
台積電從去年就開始啟動3nm晶圓廠的建設工作，由於晶圓廠對水力、電力資源要求很高，初期的環評工作很嚴格，今天台灣環保部門公佈了台積電3nm晶圓廠的專案初審，通過了新竹科學園區有過寶山用地的申請，這意味著台積電的3nm晶圓廠最終落地在新竹園區。
根據台積電之前的資料，整個3nm晶圓廠預計會在2020年正式動工建設，耗資超過4000億新台幣。
由於摩爾定律逐漸到了物理極限，3nm被認為是最後的一代矽基半導體工藝，因為1nm節點會遭遇嚴重的干擾。為了解決這個問題，三星宣佈在3nm節點使用GAA環繞柵極晶體管工藝，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。
與三星相比，台積電並沒有公佈過3nm工藝的具體技術細節，預計也會改用全新結構的晶體管工藝，只不過目前尚無明確消息。