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10nm 工藝目前的良品率已經提高到滿意水平,今年底開始就會進入各個領域,包括消費級筆記本的 Ice Lake、3D 封裝的 Lakefiled、數據中心的 Ice Lake、5G 移動通信的 Snow Ridge。
面相未來,Intel 也一直有清晰的路線圖。Intel 中國研究院院長宋繼強在演講中就明確列出了 7nm、5nm、3nm 工藝,而為了做到這些高級工藝,Intel 認為需要在材料、技術等各方面尋求全新的突破,包括 III-V 晶體管、3D 堆疊、材料合成、2D 材料、奈米線晶體管、EUV 圖案成型、密集互聯、密集內存等等。
Intel 提出了從以晶體管為中心向以數據為中心轉型的大方向,宋繼強院長也強調,單純依靠晶體管縮微來發展是不現實的,必須多元化多方位入手,尤其是強化架構革新。
至於 7/5/3nm 工藝何時做到,眼下當然不會有明確的時間表。宋院長在接受快科技採訪的時候表示,新工藝的更新步伐會減慢,但是摩爾定律的經濟效益會繼續存在,因為摩爾定律不僅僅是關於晶體管密度的增加,也包含了單位成本的降低。