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對半導體行業來說，制程工藝可謂是關鍵中的關鍵。對晶片來說，密度更大、更先進的制程工藝有助於提升發熱控制，換言之甚至能做到提升性能但功耗卻減少。目前字面上最先進的制程工藝是台積電和三星的7奈米工藝，但這還不是終點。
日前，台積電宣布，7奈米EUV（極紫外光刻技術）工藝正式達到量產要求，目前的良率已經達到了和7奈米技術初代相當的水準，年內還將不斷優化。台積電預計，今年會有100萬塊300毫米晶圓被生產出來，對比去年猛增150%。
EUV技術不是什麼神奇「BUFF」，而是另一種光刻方式。未來想要繼續往前推進制程工藝升級，傳統的光刻技術已經難堪大任，EUV技術成為了唯一的出路。
雖然三星也已經宣布7奈米EUV技術將會在今年下半年量產，但在時間上還是讓台積電搶先了一步。這意味著台積電在半導體代工中再次占得了先機，在和三星的比較中占得上風。
目前來看，即將推出的海思麒麟985處理器很可能是首款採用7奈米EUV工藝的晶片，正如去年麒麟980首發7奈米工藝那樣。不過，蘋果A13處理器應該也會採用台積電7奈米EUV技術，接下來是年底推出的高通驍龍新旗艦晶片等。
按照台積電的計劃，下一代5奈米工藝也在積極準備之中，最早於2020年將進行量產。除此之外台積電還推出了過渡性工藝6奈米，將成為7奈米和5奈米之間的折中方案。
不過隨著密度不斷加大，現有的制程工藝已經逼近物理極限，到最後逼近1奈米的時候，想繼續往上突破便變得非常艱難，可能只有更換矽基材質才能解決。可想而知，屆時半導體行業將面臨重大危機，但如何突破困境，也是看點之一。