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7、四邊無引線扁平封裝（QFN）
QFN（Quad Flat Non-leaded package）封裝四邊配置有電極接點，由於無引線，貼裝表現出面積比QFP小、高度比QFP低的特點；其中陶瓷QFN也稱為LCC（Leadless Chip Carriers），採用玻璃環氧樹脂印刷基板基材的低成本塑膠QFN則稱為塑膠LCC、PCLC、P-LCC等。
是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑膠作為密封材料的新興表面貼裝晶片封裝技術。
QFN主要用於集成電路封裝，MOSFET不會採用。不過因Intel提出整合驅動與MOSFET方案，而推出了採用QFN-56封裝（「56」指晶片背面有56個連接Pin）的DrMOS。
需要說明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據QFN建模數據，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。最大的缺點則是返修難度高。
採用QFN-56封裝的DrMOS
傳統的分立式DC/DC降壓開關電源無法滿足對更高功耗密度的要求，也不能解決高開關頻率下的寄生參數影響問題。
隨著技術的革新與進步，把驅動器和MOSFET整合在一起，構建多晶片模塊已經成為了現實，這種整合方式同時可以節省相當可觀的空間從而提升功耗密度，通過對驅動器和MOS管的優化提高電能效率和優質DC電流，這就是整合驅動IC的DrMOS。
瑞薩第2代DrMOS
經過QFN-56無腳封裝，讓DrMOS熱阻抗很低；借助內部引線鍵合以及銅夾帶設計，可最大程度減少外部PCB布線，從而降低電感和電阻。
另外，採用的深溝道矽(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗；並能兼容多種控制器，可做到不同的工作模式，支持主動相變換模式APS（Auto Phase Switching）。
除了QFN封裝外，雙邊扁平無引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛採用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
8、塑封有引線晶片載體(PLCC)
PLCC（Plastic Quad Flat Package）外形呈正方形，尺寸比DIP封裝小得多，有32個引腳，四周都有管腳，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形，是塑膠制品。
其引腳中心距1.27mm，引腳數從18到84不等，J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
PLCC封裝是比較常見，用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路，主板BIOS常採用的這種封裝形式，不過目前在MOS管中較少見。
PLCC封裝樣式
主流企業的封裝與改進
由於CPU的低電壓、大電流的發展趨勢，對MOSFET提出輸出電流大，導通電阻低，發熱量低散熱快，體積小的要求。MOSFET廠商除了改進晶片生產技術和工藝外，也不斷改進封裝技術，在與標準外形規格兼容的基礎上，提出新的封裝外形，並為自己研發的新封裝註冊商標名稱。
1、瑞薩（RENESAS）WPAK、LFPAK和LFPAK-I封裝
WPAK是瑞薩開發的一種高熱輻射封裝，通過仿D-PAK封裝那樣把晶片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流。WPAK-D2封裝了高/低2顆MOSFET，減小布線電感。
瑞薩WPAK封裝尺寸
LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。LFPAK-i是將散熱板向上，通過散熱片散熱。
瑞薩LFPAK和LFPAK-I封裝
2、威世（Vishay）Power-PAK和Polar-PAK封裝
Power-PAK是威世公司註冊的MOSFET封裝名稱。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8兩種規格。
威世Power-PAK1212-8封裝
威世Power-PAK SO-8封裝
Polar PAK是雙面散熱的小形封裝，也是威世核心封裝技術之一。Polar PAK與普通的so-8封裝相同，其在封裝的上、下兩面均設計了散熱點，封裝內部不易蓄熱，能夠將工作電流的電流密度提高至SO-8的2倍。目前威世已向意法半導體公司提供Polar PAK技術授權。
威世Polar PAK封裝
3、安森美（Onsemi）SO-8和WDFN8扁平引腳（Flat Lead）封裝
安美森半導體開發了2種扁平引腳的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引腳被很多板卡採用。安森美新近推出的NVMx和NVTx功率MOSFET就採用了緊湊型DFN5(SO-8FL)和WDFN8封裝，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低QG和電容，可將驅動器損耗降到最低的特性。
安森美SO-8扁平引腳封裝
安森美WDFN8封裝
4、恩智浦（NXP）LFPAK和QLPAK封裝
恩智浦（原Philps）對SO-8封裝技術改進為LFPAK和QLPAK。其中LFPAK被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝；而QLPAK具有體積小、散熱效率更高的特點，與普通SO-8相比，QLPAK占用PCB板的面積為6*5mm，同時熱阻為1.5k/W。
恩智浦LFPAK封裝
恩智浦QLPAK封裝
5、意法（ST）半導體PowerSO-8封裝
意法半導體功率MOSFET晶片封裝技術有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、DirectFET、PolarPAK等，其中PowerSO-8正是SO-8的改進版，此外還有PowerSO-10、PowerSO-20、TO-220FP、H²PAK-2等封裝。
意法半導體Power SO-8封裝
6、飛兆（Fairchild）半導體Power 56封裝
Power 56是Farichild的專用稱呼，正式名稱為DFN 5×6。其封裝面積跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封裝又節約元件淨空高度，底部Thermal-Pad設計降低了熱阻，因此很多功率器件廠商都部署了DFN 5×6。
Fairchild Power 56封裝
7、國際整流器（IR）Direct FET封裝
Direct FET能在SO-8或更小占位面積上，提供高效的上部散熱，適用於計算機、筆記本電腦、電信和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用。與標準塑膠分立封裝相比，DirectFET的金屬罐構造具有雙面散熱功能，因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉換器的電流處理能力增加一倍。
Direct FET封裝屬於反裝型，漏極（D）的散熱板朝上，並覆蓋金屬外殼，通過金屬外殼散熱。Direct FET封裝極大地改善了散熱，並且占用空間更小，散熱良好。
國際整流器Direct FET封裝
IR Direct FET封裝系列部分產品規格
