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一、N-MOS管和P-MOS管的對比
二、N-MOS的開關條件
N-MOS管的導通調節是G極與S極中間的電壓差超過閾值時,D極和S極導通。
在實際的使用中,將控制信號接到G極,S極接在GND,從而達到控制N-MOS管的開和關的效果,在D極和S極導通後,導通電阻Rds(on)極小,一般是幾十毫歐級,電流流通後,形成的壓降很小。
三、N-MOS的應用
3.1 防止電源接反的保護電路
下面就是一個應用這個特性做的一個防止電源接反的保護電路,這樣應用要比使用二極管好很多,如果直接使用二極管,會有約0.7V的壓降。
仿真電路如下:
N-MOS管作為防止電路反接方案中,VCC=5V的電源加在10K阻性負載上,電壓表、電流表分別測量,記錄值是5V、500uA;切換Key開關,模擬電源反接時,測得記錄值是-49.554mV、-4.955uA。
3.2 電平轉換電路
Sig1,Sig2為兩個信號端,VDD和VCC分別是3.3V和5.0V電平信號的高電壓。
另外限制條件為:
1,VDD <= VCC
2,Sig1的低電平門限大於0.7V左右(視NMOS內的二極管壓降而定).
3,Vgs <= VDD
4,Vds <= VCC
以下截圖是在Multisim中仿真效果,利用開關提供信號。
四、P-MOS開關條件
P-MOS管的導通調節是G極與S極中間的電壓差低於閾值時,S極和D極導通。
在實際的使用中,將控制信號接到G極,S極接在VCC,從而達到控制P-MOS管的開和關的效果,在S極和D極導通後,導通電阻Rds(on)極小,一般是幾十毫歐級,電流流通後,形成的壓降很小。
五、P-MOS的應用
5.1 電源通斷控制
P-MOS管的通斷控制,其實就是控制其Vgs的電壓,從而達到控制電源的目的。
Key開關閉合前,P-MOS管輸出電壓0.0164V,閉合後,P-MOS管輸出電壓5V。
但在實際電路中,一般都用MCU的GPIO代替Key開關來控制,同時MCU高電平時3.3V,因此GPIO輸出控制信號時需要使用三極管,在這里三極管的選擇也有區別。
有時候我們想要一個GPIO控制幾個信號時,這就考慮到電平匹配的問題。
5.2 高電平控制電源導通,用一個NPN三極管
5.3 低電平控制電源導通,用一組PNP+NPN三極管