比亞迪：2019年將推出搭載SiC電控的電動車

【電纜網訊】12月11日消息，最近比亞迪對外宣布已投入巨資布局半導體材料SiC（碳化矽），有望於2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。

12月10日，比亞迪在IGBT4.0技術發布會上，對外宣布已投入巨資布局第三代半導體材料SiC，並將整合材料（高純碳化矽粉）、單晶、外延、晶片、封裝等SiC基半導體全產業鏈，目的在於降低SiC器件的製造成本，加快其在電動車領域的應用。

同時，比亞迪方面表示公司已經成功研發了SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基於矽或碳化矽等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望於2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，做到SiC基車用功率半導體對矽基IGBT的全面替代，將整車性能在現有基礎上再提升10%。

何為IGBT？IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種大功率的電力電子器件，主要用於變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，俗稱電力電子裝置的「CPU」。

據了解，IGBT的成本占整車成本的5%左右。對於電動車而言，IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

實地走訪比亞迪寧波IGBT生產車間，新浪財經得知目前比亞迪IGBT模塊生產周期為45天，產能為每月5萬。據比亞迪第六事業部總經理陳剛介紹，公司目前在此領域已投入超過億元，於2019年6月擴張產能至10萬每月。

日前比亞迪推出的IGBT4.0產品，整體功耗將同比降低約20%，電流輸出能力提升15%。具體應用領域包括汽車牽引動力驅動、車用空調變頻與制熱、汽車轉向助力系統和工業感應加熱電器、電焊機及變頻器等。

事實上，比亞迪早在2005年就在此領域進行布局。當時比亞迪組建IGBT研發團隊，正式進軍IGBT領域。2008年10月，比亞迪收購寧波中緯半導體晶圓廠。而後一年，比亞迪IGBT晶片通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定。目前，比亞迪擁有IGBT完整產業鏈，包含IGBT晶片設計和製造、模組設計和製造、大功率器件測試應用平台、電源及電控等。

中國電器工業協會電力電子分會秘書長蔚紅旗在會上表示，半導體作為新一代功率器件，覆蓋領域包括微電子、新能源車、高鐵以及輸電領域等。而其最大的需求市場其實是在中國，因此他強調這個板塊必須做到自主研發。

但IGBT行業自身因技術難、投資大導致準入門檻高，被業內稱為新能源汽車核心技術的「珠穆拉瑪峰」也並非人人能攀。

根據世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子（Future Electronics LTD）的統計：2018年，應用於新能源汽車的IGBT模塊的交貨周期最長達到52周（IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周）。而2018至2022年全球新能源汽車產量年復合增長率為30%，但同期車規級IGBT產量的年復合增長率僅為15.7%（IGBT產業整體同期為8.2% ）。

基於此，可以預見未來幾年全球車規級IGBT市場的供應將愈加緊張。而目前大陸還存在IGBT的發展嚴重滯後，中高端IGBT產能嚴重不足，長期依賴國際巨頭等問題。

自主化和產業化顯然都成為了IBGT行業發展前景方向。對於IGBT未來產業化的發展，比亞迪第六事業部產品總監楊欽耀認為還需注意以下三點。第一是注重應用端的拉動；第二是人才方面的培養；第三則是產品生產要做到標準化。

回歸至比亞迪自身，楊欽耀表示公司從整車應用角度給了（研發）很多期望。例如模塊控制器如何做到體積更輕、更小而效率更高。同時，他表示IGBT未來仍有很大的應用市場，比亞迪也會繼續發布新產品，充分挖掘潛力。